描述：

描述：TMAG5231 低功耗、低压（1.65V 至 5.5V）霍尔效应开关

描述：AT332J-CuH-S 封装：SOP-16 贴片 AT332J具有一个AlGaAsLED。LED与具有功率输出级的集成电路光学耦合。AT332J非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBTs和MOSFETs。这些光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200V和150A的IGBTs。对于更高功率等级的IGBTs，AT332J可用于驱动由分离器件构成的IGBTs门极驱动 器。AT332J的绝缘电压VIORM=1230VPEAK。

描述：AT480-CuH-P 封装：SOP6-P 贴片 AT480高速光耦合器包含一个GaAsPLED和一个光电探测器，内置施密特触发器，提供逻辑兼容波形，可节省额外波形整型需求。

描述：AT343-CuH-P 封装：SOP6-P 贴片 AT343包含一个砷化铝镓LED，它被光学耦合到一个具有功率输出级的集成电路上。该光耦合器非常适合驱动 电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制装置所需的驱动电压。该光电耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定功率高达1200V/200A的IGBT。

描述：AT341-CuH-P 封装：SOP6-P 贴片 AT341是一种输出电流为3.0A的栅极驱动光电耦合器，具有一个砷化铝镓(AlGaAs)的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。这种光电耦合器可驱动大多数的小功率IGBTs和MOSFETs。在电机控制逆变器以及高性能电力系统应用中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBTs和MOSFETs。

描述：MOC3052M 封装：DIP-6 插件 MOC3052M器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

描述：MOC3053M 封装：DIP-6 插件 MOC3053M器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

描述：MOC3041M 封装：DIP-6 插件 MOC3041M系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

描述：AT827-CuH-D 封装：DIP-8 插件 AT827是一款由发光二极管和光电晶体管组成的双通道光电耦合器。八引脚封装，两种形式(DIP、SMD)。

描述：MOC3043M 封装：DIP-6 插件 MOC3043M系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

描述：AT172-CuH-S 封装：SOP-4 贴片 AT172光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。

描述：AT174-CuH-S 封装：SOP-4 贴片 AT174光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。

描述：AT827-CuH-S 封装：SMD-8 贴片 AT827是一款由发光二极管和光电晶体管组成的双通道光电耦合器。八引脚封装，两种形式(DIP、SMD)。

描述：ATM3083-CuH-SE 封装：SOP-4 贴片 ATM303X、ATM304X、ATM306X、AT M308X 系列器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片 的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

描述：ATM3082-CuH-SE 封装：SOP-4 贴片 ATM303X、ATM304X、ATM306X、AT M308X 系列器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片 的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

描述：ATM3081-CuH-SE 封装：SOP-4 贴片 ATM303X、ATM304X、ATM306X、AT M308X 系列器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片 的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

描述：ATM3063-CuH-SE 封装：SOP-4 贴片 ATM303X、ATM304X、ATM306X、AT M308X 系列器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片 的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

描述：ATM3062-CuH-SE 封装：SOP-4 贴片 ATM303X、ATM304X、ATM306X、AT M308X 系列器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片 的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。

描述：ATM3061-CuH-SE 封装：SOP-4 贴片 ATM303X、ATM304X、ATM306X、AT M308X 系列器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片 的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。